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IBM公布PCM内存技术方面重大突破

归档日期:04-26       文本归类:多字节      文章编辑:爱尚语录

  本周二,在巴黎举办的IEEE国际内存研讨会上,IBM研究院宣布其科学家在相变内存(PCM)技术上取得了重大突破。2011年这也是第一次,科学家能够采用PCM在每单元线字节。这项内存突破可能提供快速简单地存储,尤其有利于移动和物联网。

  近几年,关于类似Xpoint的新一代技术进展极大,相变内存实在算不上一项新技术(这还得追溯到1960年),但近几年才实现对它的有效使用。

  PCM有两个状态——晶体和非晶体。这些状态利用低(非晶体)和高(晶体)电流写入数据并且降低电压进行数据读回,在断电情况下不会丢失数据,类似一张可重写的蓝光盘。过去,科学家在PCM内存技术方面已经实现了单字节存储。现在IBM研究院科学家成功在64k单元阵列中存储了3个字节(条件为高温状态并擦写100万次之后)。此外为了获得这种多字节存储技术,IBM科学家还开发了两项促进技术——drift-immune cell-state metrics和drift-容错编码及检测方案,所谓“drift”具有逐步降低内存存储权值的能力。

  IBM称该技术应用领域从取代现代台式机内的RAM到利用一种PCM和闪存的混合形式大幅提升移动设备的速度。它在一篇新闻稿中写道:“比如,一款手机的操作系统存储在PCM中可实现手机几秒内启动。而在企业领域,整个数据库都可以存储在PCM中,如此对时限要求极为严格的在线应用程序即可实现极快速地查询处理,特别是金融交易类应用。”

  另外,基于云的人工智能应用程序也可以从PCM中获益。IBM写道:“机器学习算法采用了大型数据集,其通过降低迭代之间的数据延迟开销也会看到一个速度的提升。”相对于可承受3000次数据写入的闪存,PCM可进行高达1000万次数据写入,使之成为一项面向数据中心,具有潜在行业性变革的技术。

  内存和闪存存储间的最佳位置,兼具成本与速度优势。英特尔和美光也在利用3D Xpoint攻略这个最佳位置,3D Xpoint 采用介质的堆叠层。其它新兴技术包括RRAM(电阻式RAM),MRAM(磁阻式RAM)和忆阻器。

  Objective Analysis 公司分析师Jim Handy称类似3D Xpoint,3字节的PCM可能通过芯片制造商的支持大获成功。英特尔正在致力于将3D Xpoint应用于x86上,与此同时,IBM也在利用Power架构给PCM铺路。这种认同方式对大规模生产极为关键,有效推进了新技术成本的降低。

  最后,IBM并未预测3字节PCM何时会进入大众市场体系,部分原因是该公司并不生产内存还需要寻找一个合作伙伴。(过去IBM和海力士在PCM上有合作)但IBM称PCM大规模投入生产可能还需要2到3年时间。

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