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看懂MOSFET数据表第2部分—连续电流额定值

归档日期:06-11       文本归类:额定电压      文章编辑:爱尚语录

  电流额定值,以及它们是如何变得不真实的。好,也许一个比较好的解释就是这些额定值不是用确定RDS(ON)和栅极电荷等参数的方法测量出来的,而是被计算出来的,并且有很多种不同的方法可以获得这些值。

  例如,大多数部件中都有FET“封装电流额定值”,这个值同与周围环境无关,并且是硅芯片与塑料封装之间内在连接线的一个函数。超过这个值不会立即对FET造成损坏,而在这个限值以上长时间使用将开始减少器件的使用寿命。高于这个限值的故障机制包括但不限于线路融合、成型复合材料的热降解、以及电迁移应力所导致的问题。

  然后是我们考虑的“芯片限值”,通常通过将外壳温度保持在25˚C来指定。基本上,这个条件假定了一个理想的散热片,只使用结至外壳热阻来计算器件能够处理的最大功率(在下面的方程式1和2中显示)。换句话说,假定RCase-to-Ambient为零,这在应用中并不是一个很实用的条件,这样的话,最好将这个电流额定值视为表示器件RDS(ON)和热阻抗的品质因数。

  下面的图表1a和1b分别给出了CSD18536KCS和CSD18535KCS60VTO-220MOSFET数据表首页上出现的绝对最大额定值表。这两个器件的封装额定值均为200A,不过,由于CSD18536KCS具有更低的RDS(ON)和热阻抗,它具有349A的更高芯片限值,这表明,在处理同样数量的连续电流时,它的运行温度应该比CSD18535KCS的工作温度低。不过,我们还是不建议将这两款器件长时间运行在电流超过200A的条件下。从FET的角度说,这就意味着任一超过100ms的电流脉冲;超过这个值的电流脉冲基本上就可以被视为DC脉冲。

  某些QFN数据表还包括一个第3连续电流,计算方法与芯片限值的计算方法完全一样,不过,如表格下方的脚注所示,它是器件测得的RJA的函数。使用RJA(对于一个标准的SON5x6封装来说,典型值为40˚C/W)来计算最大功率的方法假定QFN在应用中只处理3W左右的功率。因此,对于未暴露于任何散热片或使用其它冷却机制的QFN器件来说,这个计算方法给出了更加实际的DC电流限值。

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